第二代 CoolSiC MOSFET G2分破器件 1200 V TO

采取TO-247-4HC高爬电间隔封装的第二代CoolSiC™ MOSFET G2 1200V 12mΩ至78mΩ系列以第一代技巧的上风为基本，放慢了体系计划的本钱优化，实现高效力、紧凑计划跟牢靠性。本文援用地点：第二代产物在硬开关工况跟软开关拓扑的要害机能指标上都有明显改良，实用于全部罕见的交换-直流、直流-直流跟直流-交换种种功率变更。产物型号：■ IMZC120R012M2H■ IMZC120R017M2H■ IMZC120R022M2H■ IMZC120R026M2H■ IMZC120R034M2H■ IMZC120R040M2H■ IMZC120R053M2H■ IMZC120R078M2H产物特色■ RDS(on)=12-78mΩ，VGS=18V，Tvj=25°C■ 开关消耗极低■ 更年夜的最年夜VGS范畴，-10V至+25V■ 过载运转温度最高可达Tvj=200°C■ 最年夜短路耐受时光2µs■ 基准栅极阈值电压4.2V利用代价■ 更高的动力效力■ 优化散热■ 更高的功率密度■ 新的持重性机能■ 高牢靠性■ 轻易并联竞争上风■ 机能加强：开关消耗更低，效力更高■ .XT互连技巧：热阻更低，MOSFET温度更低■ 市场上同类最佳的最低RDS(on）■ 数据手册上保障的短路最年夜蒙受时光■ 奇特的牢固性利用范畴■ 电动汽车充电■ 产业电机驱动跟把持■ 不连续电源(UPS)■ 三相组串逆变器